[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201680049532.1 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107924957A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 宋怡潇;钱谷嘉高;小林正道 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 汪飞亚,习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种太阳能电池,具有第一导电型或是第二导电型的半导体基板(1)、半导体基板(1)上的非晶硅膜(6、7)、及非晶硅膜(6、7)上的电极(8、9)。非晶硅膜(6、7)的电极(8、9)侧的区域与电极(8、9)含有银及银以外的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池,其特征在于,包括:第一导电型或是第二导电型的半导体基板；所述半导体基板上的非晶硅膜；所述非晶硅膜上的电极，所述非晶硅膜的所述电极侧的区域以及所述电极含有银、以及银以外的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
