[发明专利]用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置有效
申请号: | 201680049786.3 | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN108352340B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | P.德雷斯;U.迪茨;P.格拉比茨 | 申请(专利权)人: | 聚斯微技术光掩模设备两合公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/10;B08B7/00;C23C16/455 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘茜;邓雪萌 |
地址: | 德国施特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种用于将已利用UV辐射充电的液体介质施加到基板的设备,所述设备具有下述:壳体,其具有细长的腔室、具有朝所述腔室打开的至少一个入口开口、并且具有狭槽状出口开口,其与所述至少一个入口开口相对定位且其在所述腔室的长度上延伸;管元件,其沿纵向方向延伸通过所述腔室且其对于UV辐射至少部分透明,其中,所述管元件布置在所述腔室中,使得在所述管元件和所述腔室的壁之间形成流动空间,所述流动空间相对于所述腔室的纵向中心平面对称,所述纵向中心平面居中贯穿所述出口开口,以及使得所述管元件延伸到所述壳体中的狭槽状出口开口中,且由此在所述管元件和所述壳体之间形成两个出口狭槽,其沿纵向方向延伸;以及在所述管元件中的至少一个UV辐射源,该至少一个UV辐射源布置成以便使UV辐射朝着所述流动空间的方向并且通过所述出口开口自所述壳体离开发射。所述装置的特征在于器件,其适用于以如下方式影响通过所述至少一个UV辐射源发射且从所述出口开口出现的辐射,使得在所述出口开口的至少50%的下方的区域中,在所述基板的表面上实现自由基的大体上均匀的空间分布。在该已知的构造的情况下,在所述出口开口的中心下方的区域中实现高的自由基浓度,该自由基浓度横向于所述出口开口迅速降低。 | ||
搜索关键词: | 用于 利用 uv 辐射 辐照 液体 介质 施加 到基板上 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置,所述装置包括:壳体,其具有细长的腔室、通向所述腔室的至少一个入口开口、和与所述入口开口相对的至少一个狭缝状出口开口,所述至少一个狭缝状出口开口在所述腔室的长度上延伸;管元件,其沿纵向方向延伸通过所述腔室,所述管元件对于UV辐射至少部分透明,其中,所述管元件布置在所述腔室中,使得在所述管元件和所述腔室的壁之间形成流动空间,所述流动空间相对于所述腔室的纵向中心平面对称,所述纵向中心平面将所述出口开口在其中间剖切,以及使得所述管元件延伸到所述壳体中的所述狭缝状出口开口中,且由此在所述管元件和所述壳体之间形成两个纵向延伸的出口狭缝;以及在所述管元件中的至少一个UV辐射源,其布置成使UV辐射朝着所述流动空间的方向并通过所述出口开口自所述壳体离开发射,以便在所述液体中生成自由基以及将所述自由基带到所述基板的表面;其特征在于:器件,其适用于以如下方式影响通过所述至少一个UV辐射源发射且离开所述出口开口的所述辐射,使得在所述出口开口的至少50%的下方的区域中,在所述基板的所述表面上形成自由基的大体上均匀的空间分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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