[发明专利]使用保形掺杂物沉积的3D Si结构中的保形掺杂有效
| 申请号： | 201680050010.3 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107949918B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 程睿;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;P·曼纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L21/324;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;金红莲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中所述的实施方式总体涉及对基板上的三维(3D)结构的掺杂。在一个实施方式中，保形的含掺杂物膜可沉积在3D结构上方。可结合在膜中的合适的掺杂物可以包括硼、磷、和其他合适的掺杂物。随后可使膜退火以将掺杂物扩散至3D结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 掺杂 沉积 si 结构 中的 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，包括：在基板上形成的三维结构上沉积保形的含硼碳氮膜，其中所述三维结构是含硅FinFET器件；和使所述三维结构和所述膜退火以将硼扩散至所述三维结构中，以便掺杂所述FinFET器件。
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