[发明专利]包含导电线的半导体装置及形成半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201680050075.8 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN107949907B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: W·R·布朗;J·L·拉森;T·H·博萨尔特;B·R·沃森;N·A·米林;D·A·奎利 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/02;H01L21/027
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 揭示一种包含导电线的半导体装置。第一导电线各自包括第一部分、第二部分及扩大部分,所述扩大部分连接所述第一导电线的所述第一部分与所述第二部分。所述半导体装置包含第二导电线,所述第二导电线中的至少一些第二导电线安置于一对所述第一导电线之间,每一第二导电线在所述第二导电线的端部分处包含比所述第二导电线的其它部分处大的横截面面积。所述半导体装置包含位于所述第一导电线及所述第二导电线中的每一者上的垫,其中位于所述第二导电线中的每一者上的所述垫是在所述第二导电线的所述端部分上且位于所述第一导电线中的所述每一者上的所述垫是在所述第一导电线的所述扩大部分上。
搜索关键词: 包含 导电 半导体 装置 形成 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:导电线,其位于包含存储器单元的半导体衬底上方,其中:所述导电线中的至少一些导电线包含位于所述相应导电线的端部分之间的扩大部分,其中所述扩大部分比所述相应导电线的其它部分宽;且所述导电线中的至少一些导电线包含具有比所述导电线的其它部分大的横截面面积的端部分。
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