[发明专利]包含导电线的半导体装置及形成半导体装置的方法有效
申请号: | 201680050075.8 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN107949907B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | W·R·布朗;J·L·拉森;T·H·博萨尔特;B·R·沃森;N·A·米林;D·A·奎利 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 揭示一种包含导电线的半导体装置。第一导电线各自包括第一部分、第二部分及扩大部分,所述扩大部分连接所述第一导电线的所述第一部分与所述第二部分。所述半导体装置包含第二导电线,所述第二导电线中的至少一些第二导电线安置于一对所述第一导电线之间,每一第二导电线在所述第二导电线的端部分处包含比所述第二导电线的其它部分处大的横截面面积。所述半导体装置包含位于所述第一导电线及所述第二导电线中的每一者上的垫,其中位于所述第二导电线中的每一者上的所述垫是在所述第二导电线的所述端部分上且位于所述第一导电线中的所述每一者上的所述垫是在所述第一导电线的所述扩大部分上。 | ||
搜索关键词: | 包含 导电 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:导电线,其位于包含存储器单元的半导体衬底上方,其中:所述导电线中的至少一些导电线包含位于所述相应导电线的端部分之间的扩大部分,其中所述扩大部分比所述相应导电线的其它部分宽;且所述导电线中的至少一些导电线包含具有比所述导电线的其它部分大的横截面面积的端部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680050075.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基底传输设备
- 下一篇:半导体装置、芯片模块及半导体模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造