[发明专利]光电转换元件有效
| 申请号： | 201680050114.4 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107924958B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 浅野直城;小林正道 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 光电转换元件包括：n型的半导体基板(1)；半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜(3)上的p电极(7)；以及n型非晶态半导体膜(4)上的n电极(8)。p电极(7)位于被配置在半导体基板(1)的第一面侧(1a)及侧面(1c)上的p型非晶态半导体膜(3)上。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换元件，其特征在于，包括：/nn型的半导体基板；/n所述半导体基板的第一面及侧面上的p型非晶态半导体膜；/n所述半导体基板的所述第一面的n型非晶态半导体膜；/n所述p型非晶态半导体膜上的p电极；以及/n所述n型非晶态半导体膜上的n电极，/n所述p电极位于被配置在所述半导体基板的所述第一面及所述侧面上的所述p型非晶态半导体膜上，/n在所述半导体基板的所述侧面上，所述p型非晶态半导体膜比所述p电极长。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
