[发明专利]用于存储器结构中的控制栅极电极的钴和钴-半导体合金的横向堆叠体

摘要

绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体形成在基板之上。存储器堆叠体结构和背侧沟槽通过所述交替堆叠体形成。经由对所述绝缘层有选择性地通过所述背侧沟槽移除所述牺牲材料层来形成背侧凹陷。在每个背侧凹陷中形成钴部分。可以通过在所述钴部分上沉积半导体材料层，并且使所述半导体材料与所述钴部分的表面区域反应来在每个钴部分上形成钴‑半导体合金部分。可以通过各向异性蚀刻或通过平坦化工艺移除形成在所述交替堆叠体的上方的钴‑半导体合金的残余部分。每个背侧凹陷内的钴部分和钴‑半导体合金部分的组合可以用作三维存储器器件的字线。

主权项

1.一种三维存储器器件，包括：绝缘层和导电层的交替堆叠体，并且其位于基板之上；以及通过所述交替堆叠体延伸的存储器堆叠体结构，其中：所述导电层中的每一个包括具有面向所述存储器堆叠体结构的第一侧的钴部分、以及与所述钴部分的第二侧接触的钴-半导体合金部分。