[发明专利]多射束暗场成像有效
| 申请号： | 201680051258.1 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108027500B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | D·马斯纳盖蒂;M·麦科德;R·西蒙斯;R·克尼彭迈耶 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B21/22 | 分类号： | G02B21/22;G02B21/36;G01N21/47 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示具有暗场成像能力的多射束扫描电子显微镜SEM检验系统。SEM检验系统可包含电子源及至少一个光学装置。所述至少一个光学装置可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个初级子射束且朝向目标递送所述多个初级子射束。设备还可包含检测器阵列，所述检测器阵列经配置以接收由所述目标响应于所述多个初级子射束而发射的多个图像子射束且产生所述目标的至少一个暗场图像。 | ||
| 搜索关键词： | 多射束 暗场 成像 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：电子源；至少一个光学装置，其经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个初级子射束，所述至少一个光学装置进一步经配置以朝向目标递送所述多个初级子射束；及检测器阵列，其经配置以接收由所述目标响应于所述多个初级子射束而发射的多个图像子射束，所述检测器阵列进一步经配置以产生所述目标的至少一个暗场图像。
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