[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201680053528.2 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN108028031B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 石崎守 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G09F9/30;G02F1/1345;G02F1/1368;G09F9/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够使源极布线及栅极布线的一方的信号数设为少于一半的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列在绝缘基板上配置有多个栅极布线、多个源极布线以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与所述栅极布线连接，源电极与所述源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列，在绝缘基板上具有多个栅极布线、多个源极布线、以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与所述栅极布线连接，源电极与所述源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分。
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