[发明专利]研磨用组合物有效
| 申请号： | 201680057157.5 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN108140569B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 佐藤刚树;吉崎幸信;大西正悟 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/321;B24B37/04;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供能以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物。提供一种研磨用组合物，所述研磨用组合物用于对研磨对象物进行研磨，该研磨用组合物包含：在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒、和分散介质，在前述分散介质中，前述磨粒的聚集被抑制。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨用组合物 磨粒 研磨对象物 分散介质 研磨 表面修饰 分散剂 离子性 修饰 | ||
【主权项】：
1.一种研磨用组合物的制造方法，所述研磨用组合物用于对研磨对象物进行研磨，所述制造方法具有将在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒和分散介质混合的工序，所述表面修饰磨粒通过具有如下工序来制作：第1工序，准备包含所述磨粒的磨粒分散液；第2工序，将所述磨粒分散液调整至pH7～9，制作调整完pH的分散液；第3工序，将所述调整完pH的分散液和所述离子性分散剂混合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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