[发明专利]多阻抗关联电子开关结构在审
| 申请号： | 201680057845.1 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108140665A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 所提出的装置包括位于集成电路结构(400)的金属化层(440)之间的关联电子开关(455,475)，其中，关联电子开关包括，尤其是在三维存储器阵列配置中，基本不同的阻抗特性的一种或多种关联电子材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电子开关 关联 三维存储器阵列 电子开关结构 关联电子材料 集成电路结构 金属化层 阻抗特性 阻抗 配置 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成集成电路结构的多个关联电子开关器件，所述多个关联电子开关器件包括具有第一关联电子材料的第一关联电子开关器件和具有第二关联电子材料的第二关联电子开关器件，其中，所述第一关联电子材料和所述第二关联电子材料包括不同的阻抗特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
