[发明专利]保护带和半导体装置的制造方法

摘要

在抑制晶片碎屑的同时，使半导体芯片安装时的焊料接合性良好。具有：在形成有突起电极22的晶片21面上，粘贴依次具有粘接剂层11、热塑性树脂层12和基材膜层13的保护带10的工序；研磨晶片21的保护带10粘贴面的相反面的工序；在晶片21的研磨面上粘贴粘合带30的工序；残留粘接剂层11而剥离保护带10，去除其它层的工序；切割粘贴有粘合带30的晶片21，获得单片的半导体芯片的工序；和在切割之前使粘接剂层11固化的工序，固化后的粘接剂层11的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa的范围，粘贴前的保护带10的粘接剂层11的厚度与突起电极22的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。

主权项

半导体装置的制造方法，其具有：在形成有突起电极的晶片面上，粘贴依次具有粘接剂层、热塑性树脂层和基材膜层的保护带的工序；研磨上述晶片的上述保护带粘贴面的相反面的工序；在上述晶片的研磨面上粘贴粘合带的工序；残留上述粘接剂层而剥离上述保护带，去除其它层的工序；切割粘贴有上述粘合带的晶片，获得单片的半导体芯片的工序；和在上述切割之前使上述粘接剂层固化的工序，上述固化后的粘接剂层的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa，上述粘贴前的保护带的粘接剂层的厚度与上述突起电极的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。