[发明专利]具有低氧气传输速率的药物和其他包装

摘要

通过等离子体增强化学气相沉积处理抽真空的血液样品收集管或其他容器以施加衔接涂层或层(289)、阻隔涂层或层(288)以及任选的一个或多个另外的涂层或层。在部分真空下施加SiOxCy衔接涂层或层，并且在保持内腔中的该部分真空不被破坏的同时，施加该阻隔涂层或层。然后任选地，在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，可以施加SiOxCy的pH保护涂层或层。作为该处理的结果，产生了，与通过除了在施加该衔接涂层或层与施加该阻隔涂层或层之间破坏该内腔中的该部分真空之外相同的工艺所制造的相应容器相比，具有更低的到该内腔中的气体渗透速率常数的涂覆容器。还描述了用于在暴露于降低的环境压力期间保持这些容器被塞住的保持特征。

主权项

一种处理容器的方法，该方法包括：a.提供包括基本上由限定内腔的热塑性聚合物材料组成的壁的容器，该壁具有面向该内腔的内部表面和外部表面；b.在该内腔中抽部分真空；c.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，通过衔接PECVD涂覆工艺施加SiOxCy的衔接涂层或层，该衔接PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体，从而在该内部表面上产生SiOxCy的衔接涂层或层，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过X射线光电子能谱法(XPS)所确定；d.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，熄灭该等离子体；e.在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，通过阻隔PECVD涂覆工艺施加阻隔涂层或层，该阻隔PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体和氧气的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体，从而在该衔接涂层或层与该内腔之间产生SiOx的阻隔涂层或层，其中x为从1.5至2.9，如通过XPS所确定；f.任选地，在保持该内腔中的该部分真空不被破坏的同时，熄灭该等离子体；以及g.任选地，通过pH保护PECVD涂覆工艺在该阻隔涂层或层与该内腔之间施加SiOxCy的pH保护涂层或层，其中x为从约0.5至约2.4并且y为从约0.6至约3，各自如通过XPS所确定，该pH保护PECVD涂覆工艺包括在进料包括线性硅氧烷前体、任选的氧气和任选的惰性气体稀释剂的气体的同时，施加足够的功率以在该内腔内产生等离子体；从而形成，与通过除了在施加该衔接涂层或层与施加该阻隔涂层或层之间破坏该内腔中的该部分真空之外相同的工艺所制造的相应容器相比，具有更低的到该内腔中的气体渗透速率常数的涂覆容器。