[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法和R－T－B系烧结磁体有效
| 申请号： | 201680061177.X | 申请日： | 2016-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN108140481B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 三野修嗣 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C22C9/00;C22C28/00;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括：准备R－T－B系烧结磁体(100)的工序；在使RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上)的粉末和RH氟化物(RH为Dy和/或Tb)的粉末存在于R－T－B系烧结磁体(100)的表面(120)的状态下，在R－T－B系烧结磁体(100)的烧结温度以下进行热处理的工序；将热处理后的R－T－B系烧结磁体的表面(120)在深度方向磨削400μm以下的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，并且RLM合金的熔点为上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物＝96﹕4～50﹕50的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R－T－B系烧结磁体的工序，其中，R为稀土元素，T为Fe或Fe和Co；在使RLM合金的粉末和RH氟化物的粉末存在于所述R－T－B系烧结磁体的表面的状态下，在所述R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序，其中RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni中的1种以上，RH为Dy和/或Tb；将热处理后的所述R－T－B系烧结磁体的所述表面在深度方向磨削400μm以下的工序，所述RLM合金含有50原子％以上的RL，并且，所述RLM合金的熔点为所述热处理的温度以下，所述热处理在所述RLM合金的粉末和所述RH氟化物的粉末以RLM合金﹕RH氟化物＝96﹕4～50﹕50的质量比率存在于所述R－T－B系烧结磁体的所述表面的状态下进行。
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