[发明专利]III族氮化物半导体基板的制造方法及III族氮化物半导体基板有效
| 申请号： | 201680063653.1 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108352307B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 松本光二;小野敏昭;天野浩;本田善央 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C30B29/38;H01L21/20;H01L21/302;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够有效率地得到表面的位错密度低的III族氮化物半导体基板的III族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在基板上形成第二III族氮化物半导体层；第二工序，在所述第二III族氮化物半导体层上形成保护层，第三工序，通过对所述保护层及所述第二III族氮化物半导体层的气相蚀刻在所述第二III族氮化物半导体层上的位错部分选择性地形成凹槽，及第四工序，以残留有所述凹槽的方式在所述第二III族氮化物半导体层及/或残留的所述保护层上形成第三III族氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体基板的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，在基板上形成第二III族氮化物半导体层；第二工序，在所述第二III族氮化物半导体层上形成保护层；第三工序，通过对所述保护层及所述第二III族氮化物半导体层的气相蚀刻在所述第二III族氮化物半导体层上的位错部分选择性地形成凹槽；及第四工序，以残留有所述凹槽的方式在所述第二III族氮化物半导体层及/或残留的所述保护层上形成第三III族氮化物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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