[发明专利]具有受控制的阻抗负载的高带宽内存应用在审
| 申请号： | 201680064586.5 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108352178A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 孙卓文;陈勇;房炅模 | 申请（专利权）人： | 英帆萨斯公司 |
| 主分类号： | G11C11/408 | 分类号： | G11C11/408;G11C5/06;G11C8/18;G11C11/409;H01L23/02;H01L23/64;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑;贺亮 |
| 地址： | 美国加州95134*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微电子组件可包括寻址总线以及第一微电子封装和第二微电子封装，所述寻址总线包括多个信号导体，其每一者是循序地通过第一链接区域、第二链接区域、第三链接区域、和第四链接区域进行传递。所述第一微电子封装可包括第一微电子组件和第二微电子组件，并且所述第二微电子封装可包括第三微电子组件和第四微电子组件。每一个微电子组件可以经由各自的链接区域而电性耦合到所述寻址总线。在所述第一链接区域和所述第二链接区域之间的电性特征可以是在所述第二链接区域和所述第三链接区域之间的电性特征的相同的公差范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 链接区域 微电子组件 微电子封装 寻址总线 电性特征 电性耦合 信号导体 阻抗负载 公差 高带宽 内存 传递 应用 | ||
【主权项】：
1.一种微电子组件，其包括：寻址总线，所述寻址总线包括多个信号导体，其每一者循序地通过第一链接区域、第二链接区域、第三链接区域和第四链接区域进行传递；以及第一微电子封装和第二微电子封装，所述第一微电子封装包括第一微电子组件和第二微电子组件，且所述第二微电子封装包括第三微电子组件和第四微电子组件，每一个微电子组件是经由各自的链接区域而电性耦合到所述寻址总线，其中，在所述第一链接区域和所述第二链接区域之间的电性特征是在所述第二链接区域和所述第三链接区域之间的电性特征的相同公差范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英帆萨斯公司，未经英帆萨斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680064586.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用页面打开的存储器刷新操作
- 下一篇：用于减少泄漏的SRAM架构
