[发明专利]晶圆的研磨方法及研磨装置有效
申请号: | 201680064805.X | 申请日: | 2016-10-17 |
公开(公告)号: | CN108290269B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 佐藤一弥;桥本浩昌;上滨直纪 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | B24B37/34 | 分类号: | B24B37/34;B24B49/12;H01L21/304 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明为一种晶圆的研磨方法,其特征在于,在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前,具有:对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PD |
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搜索关键词: | 研磨 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆的研磨方法,其使用具有样板并可旋转的研磨头,反复进行装载工序、研磨工序以及卸载工序,对多个晶圆进行研磨,所述样板贴合有环状部件及垫板,并形成有凹部,该凹部利用所述环状部件的内周面及所述垫板的与所述环状部件贴合侧的面来收纳并保持晶圆,所述装载工序将晶圆收纳并保持于所述凹部,所述研磨工序一边使可旋转的定盘及所述研磨头旋转一边将保持于所述研磨头的所述晶圆向贴附于所述定盘上的砂布推压来进行研磨,所述卸载工序将结束所述研磨的晶圆从所述样板的凹部取出,所述晶圆的研磨方法的特征在于,在所述卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前,具有:对取出了结束所述研磨的晶圆后的所述凹部的深度PDt进行测定的测定工序;计算所述测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的所述样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序;以及根据所述算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。
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