[发明专利]用于电子器件的多层结构和相关制造方法有效
申请号: | 201680065050.5 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN108349131B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 安蒂·克拉宁;亚尔莫·萨斯基;米科·海基宁 | 申请(专利权)人: | 塔科图特科有限责任公司 |
主分类号: | B29C45/14 | 分类号: | B29C45/14;B29C45/00;F21K9/00;H05K1/03;B32B27/08 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦 |
地址: | 芬兰欧*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种多层结构(200),包括:优选为柔性的基底膜(102),该基底膜能够在其第一侧上容纳电子器件(106、108),诸如导电迹线和可选地电子部件诸如SMD(表面安装器件),所述膜具有第一侧和第二侧;以及塑料层(204),该塑料层被模制到基底的第一侧上并且在一个或多个位置(114、114B)处穿过基底突出到第二侧上,在第二侧上形成具有预定功能的一个或多个突出部(218)。提出一种相应的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 电子器件 多层 结构 相关 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多层结构(200),包括:优选为柔性的基底膜(102),所述基底膜能够在其第一侧上容纳电子器件(106、108),可选地为导电迹线和电子部件诸如SMD(表面安装器件),所述膜具有所述第一侧和第二侧,以及塑料层(204),所述塑料层被模制到所述基底的所述第一侧上并且在一个或多个位置(114、114B)处穿过所述基底突出到所述第二侧上,在所述第二侧上形成具有预定功能的一个或多个突出部(218)。
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