[发明专利]气体阻隔膜有效
| 申请号： | 201680066364.7 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108349210B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 河村朋纪 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B65D65/40;C23C16/42;H01L51/50;H05B33/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供气体阻隔性良好、辊卷取时的表背面接触引起的气体阻隔性的降低小、并且裁切时的裂纹的产生得到了抑制的气体阻隔膜。该气体阻隔膜的特征在于，在通过X射线光电子分光法得到的光谱中，将气体阻隔层的层厚方向的由来自硅原子、氧原子和碳原子的峰强度的比率所换算的组成比的合计量设为100％时，基于与碳原子有关的C1s的波形解析的由来自于C‑C、C＝C和C‑H键的峰强度的比率所换算的组成比的比例X(％)满足：将上述气体阻隔层的最表面的层厚设为0％、将与上述基材的界面的层厚设为100％时层厚5～30％区域中的上述比例X的最大值(％)为5～41(％)的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 | ||
【主权项】：
1.一种气体阻隔膜，其特征在于，其在基材上具有至少含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)的气体阻隔层，在通过X射线光电子分光法所得到的光谱中，将气体阻隔层的层厚方向的由来自硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)的峰强度的比率所换算的组成比的合计量设为100％时，基于与碳原子有关的C1s的波形解析的由来自于C‑C、C＝C和C‑H键的峰强度的比率所换算的组成比的比例X(％)满足下述(1)，(1)：对于上述气体阻隔层的层厚方向，将上述气体阻隔层的最表面的层厚设为0％、与上述基材的界面的层厚设为100％时，层厚5～30％区域中的上述比例X的最大值(％)为5～41(％)的范围内。
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