[发明专利]在垂直功率半导体装置中的源极－栅极区域架构在审
| 申请号： | 201680067249.1 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN108701713A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | T·E·哈林顿 | 申请（专利权）人： | D3半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L23/535;H01L23/532;H01L29/45;H01L29/10;H01L29/49;H01L29/739;H01L21/768;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/2 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有到源极及本体区域的经改进接触的垂直漂移金属氧化物半导体VDMOS晶体管及一种制造所述VDMOS晶体管的方法。所述源极区域到相反类型的本体区域中的掩蔽离子植入界定本体接触区域的位置，随后使用毯覆式植入而植入所述本体接触区域。所述源极区域及本体接触区域的表面是硅化物包层，且沉积及平坦化上覆绝缘体层。接触开口经形成穿过所述平坦化绝缘体层，在所述接触开口内形成导电插塞以接触所述金属硅化物及因此所述装置的所述源极及本体区域。金属导体整体经形成到所要厚度且接触所述导电插塞以将偏置提供到所述源极及本体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 接触区域 植入 导电插塞 接触开口 绝缘体层 源极区域 平坦化 金属氧化物半导体 漂移 掩蔽 半导体装置 金属硅化物 垂直功率 金属导体 偏置提供 相反类型 栅极区域 硅化物 毯覆式 包层 界定 沉积 离子 架构 垂直 穿过 制造 改进 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其包括：第一导电类型的半导体衬底；所述第一导电类型的外延层，其上覆于所述衬底，所述外延层具有比所述衬底更轻的掺杂剂浓度；多个栅极电极，其安置于所述外延层的表面附近且彼此隔开；第二导电类型的多个本体区域，其在栅极电极之间的位置处安置到所述外延层的所述表面中；在每一本体区域内，所述第一导电的第一源极区域及第二源极区域安置于所述本体区域的表面处；在每一经掺杂本体区域内，所述第二导电类型的本体接触区域安置于所述第一源极区域与所述第二源极区域之间的所述表面处；金属硅化物包层，其在每一本体区域的所述第一源极区域及所述第二源极区域的至少一部分及所述本体接触区域的表面处；绝缘层，其上覆于所述栅极电极且具有平坦化表面；多个导电插塞，其通过所述绝缘层中的接触开口接触所述金属硅化物包层；及金属导体，其安置于所述绝缘层上方且与所述多个导电插塞接触。
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