[发明专利]磁场传感器以及具备其的磁场检测装置有效
| 申请号： | 201680067969.8 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108291947B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 浅妻裕己;田边圭;海野晶裕;松田笃史;高桥将司 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;沈娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的磁场传感器具备：传感器芯片(20)，具有形成了磁检测元件(MR3)的元件形成面(20S)；第1磁性体(31)，被配置于元件形成面(20S)上并且以元件形成面(20S)为基准的高度为H1；第2磁性体(32)，从所述磁检测元件(MR3)来看，被设置于与第1磁性体(31)相反侧并且具有低于高度H1的高度H2。根据本发明，因为第2磁性体(32)的高度H2低于第1磁性体(31)，所以既能够由第2磁性体(32)来屏蔽干扰磁场，又能够减少被吸引到第2磁性体(32)的检测磁场 |
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| 搜索关键词： | 磁场 传感器 以及 具备 检测 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其特征在于：具备：传感器芯片，具有形成了第1磁检测元件的元件形成面；第1磁性体，被配置于所述元件形成面上，并且以所述元件形成面为基准的高度具有第1高度；以及第2磁性体，从所述第1磁检测元件来看，被设置于与所述第1磁性体相反侧，并且具有低于所述第1高度的第2高度。
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