[发明专利]用于在逻辑上去除非易失性存储器存储设备中的缺陷页的方法和装置在审
| 申请号： | 201680069511.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108701488A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | Y·R·黄 | 申请（专利权）人： | 科内克斯实验室公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G06F12/02;G06F11/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张维;彭梦晔 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了能够停用块中的有缺陷的非易失性存储器(“NVM”)页的本发明的一个实施例。能够在逻辑上停用缺陷页的过程能够在执行向NVM块中的一个或多个NVM页写入信息的写入操作的同时检测缺陷或不良页。例如，在写入操作完成之后检查操作状态之后，如果在正常写入操作下操作状态未能满足一组预定义条件，则NVM页被标识为缺陷页。在标记页状态表的位置以指示NVM页为缺陷页时，包含与NVM页相关联的页缺陷信息的页状态表被存储在NVM块中的预定义页处。 | ||
| 搜索关键词： | 写入操作 操作状态 页状态表 停用 非易失性存储器 易失性存储器 方法和装置 预定义条件 存储设备 缺陷信息 写入信息 预定义 存储 关联 检测 检查 | ||
【主权项】：
1.一种用于在逻辑上停用非易失性存储器(“NVM”)页的方法，包括：执行写入操作以向第一NVM块中的第一NVM页写入信息；在所述写入操作完成之后，检查所述第一NVM页的操作状态；如果所述操作状态未能满足用于正常写入操作的预定义条件，则将所述第一NVM页标识为缺陷页；标记第一页状态表的位置以将所述第一NVM页指示为有缺陷的；以及将包含与所述第一NVM页相关联的页缺陷信息的所述第一页状态表存储在所述第一NVM块中的预定义页处。
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