[发明专利]基板处理装置的腔室清洁方法有效
| 申请号： | 201680069784.0 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108292598B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 斋藤幸正;日向寿树;土桥和也;池田恭子;守谷修司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/302;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置的腔室清洁方法，其对基板处理装置中的腔室内进行清洁，上述基板处理装置具有上述腔室、在上述腔室内保持被处理基板的台、以及向上述被处理基板照射气体团束的喷嘴部，并具有利用上述气体团束处理上述被处理基板的功能，其中，上述基板处理装置的腔室清洁方法包含：在上述腔室内设置规定的反射部件；和向上述反射部件照射气体团束，使被上述反射部件反射的气流碰撞上述腔室的壁部，而除去附着于上述腔室的壁部的颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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