[发明专利]半导体装置的制造装置以及制造方法有效
| 申请号： | 201680070449.2 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108368626B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 星野智久;滨田正人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D5/18;C25D7/12;C25D21/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造装置具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其用于对被该基板保持部保持的基板供给处理液；电解处理部，其与该基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及端子，其用于对基板施加电压，其中，电解处理部具有：直接电极，其与被供给到基板的处理液接触且用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及间接电极，其用于在被供给到基板的处理液中形成电场。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造装置，具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其用于对被所述基板保持部保持的基板供给处理液；电解处理部，其与所述基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及端子，其用于对基板施加电压，其中，所述电解处理部具有：直接电极，其与被供给到基板的所述处理液接触，用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及间接电极，其用于在被供给到基板的所述处理液中形成电场。
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