[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201680072394.9 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108701718A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 高逸群;施博理;张炜炽;吴逸蔚 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;薛晓伟 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 用于平板显示器的高性能TFT基板(100)包括基板(110)、在所述基板(110)上的第一导电层(130)、位于所述第一导电层(130)上的半导体层(103)以及位于所述半导体层(103)上的第二导电层(150)。所述第一导电层(130)定义栅极(101)。所述第二导电层(150)定义源极(105)以及与源极(105)间隔的漏极(106)。所述第二导电层(150)包括所述半导体层上(103)的第一层(151)和位于所述第一层(151)上的第二层(152)。所述第一层(151)可以由金属氧化物制成。所述第二层(152)可以由铝或铝合金制成。 | ||
| 搜索关键词： | 第二导电层 第一导电层 半导体层 第一层 基板 源极 薄膜晶体管基板 金属氧化物 平板显示器 定义栅极 铝合金 漏极 制备 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板，包括：基板；形成在所述基板上的半导体层，所述半导体层具有顶表面和与所述顶表面相对且远离的底表面；形成在所述半导体层的底表面上的第一导电层，所述第一导电层定义栅极；以及形成在所述半导体层的顶表面上且与所述第一导电层相对的第二导电层，所述第二导电层定义源极以及与所述源极间隔的漏极；其中所述第二导电层包括位于所述半导体层上的第一层和位于所述第一层上的第二层；所述第一层由金属氧化物制成；且所述第二层由铝或铝合金制成。
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