[发明专利]低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法有效
| 申请号： | 201680076070.2 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108473332B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 末田学;绪方宏宣 | 申请（专利权）人： | 堺化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01F11/46 | 分类号： | C01F11/46;C08K3/30;C08K9/02;C08L101/00;C09C1/00;C09C3/06;C09D11/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
根据本发明，提供低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm |
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| 搜索关键词： | 射线 硫酸钡 颗粒 及其 利用 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.低α射线量硫酸钡颗粒，其二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、平均粒径为1μm以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下。
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