[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201680077003.2 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN108431970B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 洪俊喜;徐在元 申请(专利权)人: 苏州乐琻半导体有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/10;H01L33/48;H01L33/22
代理公司: 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 代理人: 滕锦林
地址: 215499 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实施例涉及一种发光元件,该发光元件能够通过增加在第一电极和第一半导体层之间的接触面积使电流容易地扩展并且改进驱动电压,并且包括:发光结构,其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;凹槽,其通过底表面暴露第二半导体层并且并且通过去除发光结构经由侧表面暴露第一半导体层、有源层以及第二半导体层;第一电极,其被连接到在凹槽的底表面处暴露的第一半导体层;第一绝缘图案,其覆盖通过凹槽的侧表面暴露的第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述第一绝缘图案具有的一端延伸到第一电极的上表面的一部分,并且具有的另一端延伸到第二半导体层的上表面的一部分,使得第一电极的上表面和第二半导体层的上表面被部分地暴露;第一反射层,其被布置在暴露的第二半导体层上;第二反射层,其用于暴露第二半导体层和第一电极;以及第二电极,其被布置在由第二反射层暴露的第二半导体层上。
搜索关键词: 发光 元件
【主权项】:
1.一种发光元件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;凹槽,所述凹槽被配置成在其底表面处暴露所述第一半导体层,并且由于所述发光结构被去除而在其侧表面处暴露所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层;第一电极,所述第一电极被连接到在所述凹槽的底表面处暴露的第一半导体层;第一绝缘图案,所述第一绝缘图案被配置成覆盖在所述凹槽的侧表面处暴露的所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层,其中其一端延伸到所述第一电极的上表面的一部分,并且其另一端延伸到所述第二半导体层的上表面的一部分,使得所述第一电极和所述第二半导体层的上表面被部分地暴露;第一反射层,所述第一反射层被布置在暴露的第二半导体层上;第二反射层,所述第二反射层被配置成暴露所述第二半导体层和所述第一电极;以及第二电极,所述第二电极被布置在由所述第二反射层暴露的第二半导体层上。
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