[发明专利]在基板上形成电路的方法有效
| 申请号： | 201680078732.X | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108463576B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 佐土原大祐;西川贤一;铃木启太;伊部公太;下田胜己 | 申请（专利权）人： | 株式会社杰希优 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供无论基板的种类如何均能够以少的工序在基板上的期望部位进行金属镀敷而形成电路的新的方法。一种在基板上形成电路的方法，其特征在于，包括如下工序：通过镀敷在基板上进行电路的形成时，在基板上施加含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜后，进行涂布覆膜中的催化剂金属的活化处理而使其表现出自催化性，接下来进行无电解镀敷。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 形成 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上形成电路的方法，其特征在于，包括如下工序：通过镀敷在基板上进行电路的形成时，在基板上施加含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜后，进行涂布覆膜中的催化剂金属的活化处理而使该催化剂金属表现出自催化性，接下来进行无电解镀敷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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