[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底装填方法及记录介质

摘要

课题为提供一种在用分批炉对大表面积衬底进行处理的情况下，能够减轻每1张大表面积衬底的表面积及装填张数的影响，能够得到良好的衬底装填区域间的膜厚均匀性的技术。解决手段具有下述工序：对大表面积衬底进行分散装填的工序，其中，当在衬底的最大装填张数为X张(X≥3)的衬底支承件上装填Y张(Y＜X)大表面积衬底时，以大表面积衬底的最大连续装填张数成为Z张(Z＜Y)的方式，将大表面积衬底分散并装填于衬底支承件，并且以使得下述(a)、(b)、(c)的值各自变得小于Z＝Y时的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值的方式，对Z的值进行调节，其中，衬底支承件是具备具有多个插槽的衬底装填区域并且将多个衬底装填于插槽并进行支承的衬底支承件，大表面积衬底为在上表面上形成有相对于半径r而言上表面的表面积成为3πr2以上这样的图案的大表面积衬底，(a)在25≤X≤200的情况下，各插槽及各插槽的相邻10个插槽这总计11个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(b)在11≤X≤24的情况下，各插槽及各插槽的相邻4个插槽这总计5个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(c)在5≤X≤10的情况下，各插槽及各插槽的相邻2个插槽这总计3个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值；和将分散装填有大表面积衬底的衬底支承件收容在处理室中，对大表面积衬底进行处理的工序。

主权项

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：对大表面积衬底进行分散装填的工序，其中，当在衬底的最大装填张数为X张(X≥3)的衬底支承件上装填Y张(Y＜X)大表面积衬底时，以大表面积衬底的最大连续装填张数成为Z张(Z＜Y)的方式，将大表面积衬底分散并装填于所述衬底支承件，并且以使得下述(a)、(b)、(c)的值各自变得小于Z＝Y时的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值的方式，对Z的值进行调节，其中，所述衬底支承件是具备具有多个插槽的衬底装填区域并且将多个衬底装填于所述插槽而进行支承的衬底支承件，所述大表面积衬底为在上表面上形成有相对于半径r而言上表面的表面积成为3πr2以上这样的图案的大表面积衬底，(a)在25≤X≤200的情况下，各插槽及各插槽的相邻10个插槽这总计11个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(b)在11≤X≤24的情况下，各插槽及各插槽的相邻4个插槽这总计5个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值，(c)在5≤X≤10的情况下，各插槽及各插槽的相邻2个插槽这总计3个插槽的大表面积衬底密度平均值的衬底装填区域间均匀性的值；和将分散装填有所述大表面积衬底的衬底支承件收容在处理室中，对所述大表面积衬底进行处理的工序。