[发明专利]半导体器件

摘要

一个实施例包括：衬底；第一导电半导体层，设置在衬底上；第二导电半导体层，设置在第一导电半导体层上；以及有源层，设置在第一和第二导电半导体层之间，其中第一导电半导体层包括第一导电半导体层的一部分暴露其中的第一区域，并且包括设置在第一区域的上表面与第二导电半导体层上表面之间的倾斜部分，其中倾斜部分包括与第二导电半导体层上表面接触的第一边缘和与第一导电半导体层的第一区域上表面接触的第二边缘，其中第一和第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，其中第一长度是第一和第二边缘之间沿第一方向的长度，第二长度是第一和第二边缘之间沿第二方向的长度，其中第一和第二方向是彼此垂直的方向。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；第一导电类型半导体层，设置在所述衬底上；第二导电类型半导体层，设置在所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，其中所述第一导电类型半导体层包括第一区域，所述第一导电类型半导体层的一部分暴露在所述第一区域中，其中倾斜部分设置在所述第一区域的上表面与所述第二导电类型半导体层的上表面之间，其中所述倾斜部分包括与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触的第一边缘和与所述第一导电类型半导体层的所述第一区域的所述上表面接触的第二边缘，其中所述第一长度与所述第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，以及其中所述第一长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第一方向的长度，所述第二长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第二方向的长度，并且所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。