[发明专利]具有用于改进的访问电阻的V形槽S/D轮廓的III-V族FINFET晶体管在审
| 申请号： | 201680086227.X | 申请日： | 2016-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109196652A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | W·拉赫马迪;M·V·梅茨;G·杜威;S·T·马;C·S·莫哈帕特拉;S·K·加德纳;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置，包括晶体管器件，所述晶体管器件包括主体，所述主体包括在源极区和漏极区之间的沟道区；以及在沟道区中的主体上的栅极叠层，其中，主体的源极区和漏极区中的至少一个包括相对侧壁之间的接触表面，并且接触表面包括轮廓，使得接触表面的高度尺寸在侧壁处大于侧壁之间的点处。一种方法，包括在电路衬底上形成晶体管器件主体，所述晶体管器件主体尺寸在源极区和漏极区之间限定沟道区；在源极区和漏极区中的至少一个中的主体中形成凹槽；以及在沟道区中的主体上形成栅极叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管器件 沟道区 漏极区 源极区 栅极叠层 相对侧壁 侧壁处 侧壁 衬底 电阻 电路 改进 访问 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：设置在电路衬底的表面上的晶体管器件，所述晶体管器件包括：主体，所述主体包括高度尺寸、限定宽度尺寸的相对侧壁、以及在源极区和漏极区之间限定沟道区的长度尺寸；以及在所述沟道区中的所述主体上的栅极叠层，其中，所述主体的源极区和漏极区中的至少一个包括在所述相对侧壁之间的接触表面，并且所述接触表面包括轮廓，使得所述接触表面的高度尺寸在侧壁处大于所述侧壁之间的点处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680086227.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
