[发明专利]自-对准栅极边缘三栅极和finFET器件

摘要

描述了自‑对准栅极边缘三栅极和finFET器件以及制作自‑对准栅极边缘三栅极和finFET器件的方法。在示例中，半导体结构包括被部署在衬底以上并且突出穿过沟槽隔离区域的最上方表面的多个半导体鳍。栅极结构被部署在所述多个半导体鳍之上。所述栅极结构限定所述多个半导体鳍的每个中的沟道区域。源极和漏极区域是在所述多个半导体鳍的每个的所述沟道区域的相对端，在所述栅极结构的相对侧。所述半导体结构还包括多个栅极边缘隔离结构。所述多个栅极边缘隔离结构的各个栅极边缘隔离结构与所述多个半导体鳍的各个半导体鳍交替。

主权项

1.一种半导体结构，包括：多个半导体鳍，所述多个半导体鳍被部署在衬底以上并且突出穿过沟槽隔离区域的最上方表面；栅极结构，所述栅极结构被部署在所述多个半导体鳍之上，所述栅极结构限定所述多个半导体鳍的每个中的沟道区域；源极和漏极区域，所述源极和漏极区域是在所述多个半导体鳍的每个半导体鳍的所述沟道区域的相对端上，在所述栅极结构的相对侧；以及多个栅极边缘隔离结构，所述多个栅极边缘隔离结构的各个栅极边缘隔离结构与所述多个半导体鳍的各个半导体鳍交替，并且所述多个栅极边缘隔离结构的各个栅极边缘隔离结构被部署在所述沟槽隔离区域的所述最上方表面以下的对应凹陷中并在所述栅极结构的最上方表面以上延伸，并且将所述栅极结构的连续性断开成段。