[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680090598.5 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109923647B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 中野诚也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具备：表面金属，其形成于衬底；第1保护膜，其形成于该表面金属之上；第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于该第1保护膜之上，该第2部分与该第1部分相连，该第2部分设置于该表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于该表面金属之上，该上攀部与该主体部相连，该上攀部攀至该第1保护膜上，该主体部比该第1保护膜厚，该第1部分比该上攀部厚，该第2部分比该主体部厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：表面金属，其形成于衬底；第1保护膜，其形成于所述表面金属之上；第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于所述第1保护膜之上，该第2部分与所述第1部分相连，该第2部分设置于所述表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于所述表面金属之上，该上攀部与所述主体部相连，该上攀部攀至所述第1保护膜上，所述主体部比所述第1保护膜厚，所述第1部分比所述上攀部厚，所述第2部分比所述主体部厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
