[发明专利]高效率太阳能电池及高效率太阳能电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 201680090769.4 申请日: 2016-11-15
公开(公告)号: CN110073499A 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 桥上洋;森山隼;渡部武纪;大塚宽之 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;C08G73/10
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明是一种太阳能电池,其特征在于具备:备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域,接在前述发射领域的射极电极,具有前述第1导电型的基极领域,接在前述基极领域的基极电极,与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池,前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成;前述绝缘膜在TOF‑SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此,可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。
搜索关键词: 导电型 太阳能电池 绝缘膜 高效率太阳能电池 半导体基板 发射 二次离子质谱 光电变换特性 电性短路 基极电极 加速电压 聚酰亚胺 电极 主表面 检出 射极 离子 照射 飞行 制造
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,具备:备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型亦即第2导电型的发射领域,接在前述发射领域的射极电极,具有前述第1导电型的基极领域,接在前述基极领域的基极电极,与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池,前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成;前述绝缘膜在TOF‑SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV,0.2pA的条件照射时的C6H11O2检出计数为100以下。
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