[其他]包括ZnO透明电极的发光元件有效

专利信息
申请号: 201690001036.4 申请日: 2016-06-27
公开(公告)号: CN208352329U 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 申赞燮;梁明学;尹馀镇;李剡劤 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/22;H01L33/20;H01L33/38
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 实用新型提供一种发光元件。发光元件包括:第一导电型半导体层;台面,位于所述第一导电型半导体层上,且包括活性层以及位于活性层上的第二导电型半导体层;ZnO透明电极,位于台面上;第一电极,位于第一导电型半导体层上;以及第二电极,至少一部分位于ZnO透明电极上,且包括第二电极焊盘以及从第二电极焊盘开始延伸的一个以上的第二电极延伸部,其中,第二电极延伸部与ZnO透明电极接触,ZnO透明电极包括第一区域及第二区域,所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部,与多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于第二区域的厚度,多个凸出部之间的间距小于从第二电极延伸部至邻近于第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。
搜索关键词: 第二电极 透明电极 导电型半导体层 凸出部 延伸部 发光元件 第二区域 第一区域 活性层 焊盘 本实用新型 第一电极 图案布置 最短距离 凸出 上表面 台面 邻近 延伸
【主权项】:
1.一种发光元件,其特征在于,包括:第一导电型半导体层;台面,位于所述第一导电型半导体层上,且包括活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层;ZnO透明电极,位于所述台面上;第一电极,位于所述第一导电型半导体层上;以及第二电极,至少一部分位于所述ZnO透明电极上,且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘开始延伸的一个以上的第二电极延伸部,其中,所述第一导电性半导体层、所述活性层以及所述第二导电型半导体层构成为发光结构体,所述第二电极延伸部与所述ZnO透明电极接触,所述ZnO透明电极包括第一区域及第二区域,所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部,与所述多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于所述第二区域的厚度,所述多个凸出部之间的间距小于从所述第二电极延伸部至邻近于所述第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。
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