[发明专利]具有多个层叠的半导体设备及方法有效
| 申请号： | 201710001454.4 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106935255B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 丹沢彻 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10;H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有多个层叠的半导体设备及方法。本发明揭示设备及方法，包含一种设备，所述设备包含第一半导体材料的若干个层叠，每一层叠包含至少一个存储器单元的至少一个存取线及至少一个外围晶体管的至少一个源极、沟道及/或漏极，所述至少一个外围晶体管例如为在存取线解码器电路或数据线多路复用电路中使用的外围晶体管。所述设备还可包含延伸穿过所述第一半导体材料的所述层叠的第二半导体材料的若干个柱，每一柱包含所述存储器单元中的至少一者的源极、沟道及/或漏极或者所述外围晶体管中的至少一者的栅极。还连同其它实施例一起描述了形成此设备的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 层叠 半导体设备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，其包括多个半导体材料层叠，所述半导体设备包括：存储器单元的一部分，其在所述半导体材料层叠中的特定一个半导体材料层叠中；及外围晶体管的一部分，其在所述半导体材料层叠中的所述特定一个半导体材料层叠中，其中穿过所述半导体材料层叠的狭槽将第一构造中的所述存储器单元的所述部分与第二构造中的所述外围晶体管的所述部分分离。
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