[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法

摘要

描述了一种环绕式源极/漏极沟槽接触部结构。多个半导体鳍状物从半导体衬底伸出。将沟道区设置到一对源极区/漏极区之间的每一鳍状物内。外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。将一对源极/漏极沟槽接触部电耦合至所述外延半导体层。所述源极/漏极沟槽接触部包括共形金属层和填充金属。所述共形金属层与所述外延半导体层共形。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。

主权项

一种半导体结构，包括：与单晶硅衬底连续并且从所述单晶硅衬底延伸穿过隔离区的第一硅主体，所述第一硅主体具有顶部和横向相对的侧壁；与所述单晶硅衬底连续并且从所述单晶硅衬底延伸穿过所述隔离区的第二硅主体，所述第二硅主体具有顶部和横向相对的侧壁，并且所述第二硅主体与所述第一硅主体平行；位于所述第一硅主体的顶部之上且与所述第一硅主体的横向相对的侧壁相邻、位于所述第二硅主体的顶部之上且与所述第二硅主体的横向相对的侧壁相邻、并且位于所述隔离区的一部分之上的栅电极，所述栅电极限定所述第一硅主体中的第一沟道区以及所述第二硅主体中的第二沟道区；位于所述栅电极的第一侧的所述第一沟道区的第一端的第一外延硅锗源极区；位于所述栅电极的第一侧的所述第二沟道区的第一端的第二外延硅锗源极区，所述第二外延硅锗源极区与所述第一外延硅锗源极区横向相邻但不与所述第一外延硅锗源极区接触或合并；在所述第一外延硅锗源极区与所述第二外延硅锗源极区的横向相邻部分之间的第一缝隙，所述第一缝隙位于所述第一硅主体与所述第二硅主体之间的所述隔离区的顶表面的第一部分之上；位于所述第一外延硅锗源极区与所述第二外延硅锗源极区之上的第一接触部，所述第一接触部包括：位于所述第一外延硅锗源极区与所述第二外延硅锗源极区之上且位于所述第一缝隙之上但不位于所述第一缝隙之内的第一氮化钛阻挡层；以及位于所述第一氮化钛阻挡层的最底部上且位于所述第一氮化钛阻挡层的横向相对的侧壁之间的第一钨插塞；位于所述栅电极的第二侧的所述第一沟道区的第二端的第一外延硅锗漏极区，所述栅电极的第二侧与所述栅电极的第一侧相对；位于所述栅电极的第二侧的所述第二沟道区的第二端的第二外延硅锗漏极区，所述第二外延硅锗漏极区与所述第一外延硅锗漏极区横向相邻但不与所述第一外延硅锗漏极区接触或合并；在所述第一外延硅锗漏极区与所述第二外延硅锗漏极区的横向相邻部分之间的第二缝隙，所述第二缝隙位于所述第一硅主体与所述第二硅主体之间的所述隔离区的顶表面的第二部分之上；以及位于所述第一外延硅锗漏极区与所述第二外延硅锗漏极区之上的第二接触部，所述第二接触部包括：位于所述第一外延硅锗漏极区与所述第二外延硅锗漏极区之上且位于所述第二缝隙之上但不位于所述第二缝隙之内的第二氮化钛阻挡层；以及位于所述第二氮化钛阻挡层的最底部上且位于所述第二氮化钛阻挡层的横向相对的侧壁之间的第二钨插塞。