[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201710004017.8 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106653861B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 任艳伟;孙超超;张琨鹏;方业周;徐敬义 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法，涉及显示技术领域，可提高多晶硅有源层的晶粒尺寸及均一性。所述薄膜晶体管包括衬底，设置在所述衬底上的多晶硅有源层，还包括设置在所述多晶硅有源层靠近所述衬底一侧表面的第一非晶硅层；所述多晶硅有源层与所述第一非晶硅层在所述衬底上的正投影重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括衬底，设置在所述衬底上的多晶硅有源层，其特征在于，还包括设置在所述多晶硅有源层靠近所述衬底一侧表面的第一非晶硅层；所述多晶硅有源层与所述第一非晶硅层在所述衬底上的正投影重叠；还包括设置在所述衬底靠近所述第一非晶硅层一侧表面的缓冲层；所述缓冲层上设置有凹槽，所述第一非晶硅层设置在所述凹槽内。
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