[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

摘要

本发明实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层。方法包括去除介电层的第一部分以在介电层中形成第一孔。介电层的第二部分位于第一孔下方。方法包括在栅极堆叠件和间隔件层上方形成第一保护层。方法包括在第一保护层上方形成第二保护层。第二保护层包括金属化合物材料，以及第一保护层和第二保护层包括相同的金属元素。方法包括去除介电层的第二部分以形成通孔。方法包括在通孔中形成导电接触结构。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。

主权项

1.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层，并且所述介电层的第二部分位于所述第一孔下方；在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属化合物材料，并且所述第一保护层和所述第二保护层包括相同的金属元素；去除所述介电层的所述第二部分以形成通孔；以及在所述通孔中形成导电接触结构。