[发明专利]一种DRAM锤压侦测电路及方法在审
| 申请号： | 201710010168.4 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106710624A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王正文;徐思龙 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4078 | 分类号： | G11C11/4078 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种DRAM锤压侦测电路，提供可物理实现的侦测方案，电路结构简单，实际电路的设计成本低，保证DRAM数据存储的可靠性。其包括，串联移位寄存器链，用来移位锁存DRAM芯片内部激活指令的行地址A_i；输出地址锁存器，连接在串联移位寄存器链末端，用来锁存输出被锤压到的行地址A_o；匹配逻辑电路，输入端分别与输出地址锁存器和每一级移位寄存器输出连接，用于串联移位寄存器链的输出行地址与输出地址锁存器的行地址进行匹配比较；侦测逻辑电路，输入端与匹配逻辑电路的输出连接；侦测逻辑电路输出侦测信号，同时输出反馈信号控制移位寄存器和输出地址锁存器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 侦测 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种DRAM锤压侦测电路，其特征在于，包括，串联移位寄存器链，用来移位锁存DRAM芯片内部激活指令的行地址A_i；输出地址锁存器，连接在串联移位寄存器链末端，用来锁存输出被锤压到的行地址A_o；匹配逻辑电路，输入端分别与输出地址锁存器和每一级移位寄存器输出连接，用于串联移位寄存器链的输出行地址与输出地址锁存器的行地址进行匹配比较；侦测逻辑电路，输入端与匹配逻辑电路的输出连接；侦测逻辑电路输出侦测信号，同时输出反馈信号控制移位寄存器和输出地址锁存器。
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