[发明专利]半导体存储器件

摘要

本发明涉及半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：包括第一单元阵列区域和外围区域的衬底；多个堆叠结构，其在第一单元阵列区域上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；覆盖堆叠结构的绝缘层；以及至少一个分离结构，其在外围区域上在第二方向上延伸并且在垂直于衬底的顶表面的方向上穿透绝缘层。

主权项

一种半导体存储器件，包括：衬底，其包括第一单元阵列区域和外围区域，所述外围区域包括在第一方向上彼此面对的第一外围区域和第二外围区域并且所述第一单元阵列区域被插置在其之间；多个堆叠结构，其在所述衬底的所述第一单元阵列区域上在所述第一方向上延伸，并且在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；覆盖所述堆叠结构的绝缘层；以及至少一个分离结构，其在所述第一外围区域和所述第二外围区域的至少一个上在所述第二方向上延伸并且在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述绝缘层。