[发明专利]MOS器件的仿真方法有效
| 申请号： | 201710011836.5 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106802991B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS器件的仿真方法，MOS器件的仿真方法包括：提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。本发明技术方案提高了MOS器件边角模型适用性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件的仿真方法，其特征在于，包括：提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。
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