[发明专利]调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器有效
| 申请号： | 201710018327.5 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288960B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 张家达;魏君如;翁国隆 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/56;H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器，形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；形成一绝缘层于牺牲磊晶结构台面以及化合物半导体基板之上；以一化学机械平坦化制程研磨绝缘层以形成一抛光表面；形成一体声波共振结构于抛光表面之上，其中体声波共振结构位于牺牲磊晶结构台面之上，其中包括以下步骤：形成一底电极层于抛光表面之上；形成一压电层于底电极层之上；以及形成一顶电极层于压电层之上；以及蚀刻牺牲磊晶结构台面以形成一空腔，其中空腔位于体声波共振结构之下。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 共振器 方法 形成 空腔 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：步骤A1：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；步骤A2：形成一绝缘层于所述牺牲磊晶结构台面以及所述化合物半导体基板之上；步骤A3：以一化学机械平坦化制程研磨所述绝缘层以形成一抛光表面；步骤A4：形成一体声波共振结构于所述抛光表面之上，其中所述体声波共振结构位于所述牺牲磊晶结构台面之上，其中所述步骤A4包括以下步骤：步骤A41：形成一底电极层于所述抛光表面之上；步骤A42：形成一压电层于所述底电极层之上；以及步骤A43：形成一顶电极层于所述压电层之上；以及步骤A5：蚀刻所述牺牲磊晶结构台面以形成一空腔，其中所述空腔位于所述体声波共振结构之下。
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