[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710023214.4 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305938B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 元淼;沈奇雨;许徐飞;占建英;郭海兵 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L27/28;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少有源层中垂直于OTFT沟道中载流子传输方向的晶界数量。该薄膜晶体管的制作方法包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个处理区域具有不同的亲水性；其中，第一方向与薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在衬底上形成至少覆盖相邻两个处理区域的部分交界区域的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括制作源极和漏极的方法，还包括制作有源层的方法：在衬底上沿第一方向形成多个处理区域，且任意相邻两个所述处理区域具有不同的亲水性；其中，所述第一方向与所述薄膜晶体管的载流子传输方向平行；在所述衬底上形成至少覆盖相邻两个所述处理区域的部分交界区域的有源层。
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