[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201710024197.6 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106711231A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 肖志莲;肖红玺;赵海生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的制备方法中，源极和漏极中的源、漏极所采用的金属材料被形成欧姆接触层的反应气体腐蚀而导致显示不良的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法，包括通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形；在完成上述步骤的衬底上，通过构图工艺，形成包括源极和漏极的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形；在完成上述步骤的衬底上，通过构图工艺，形成包括源极和漏极的图形。
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