[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710026275.6 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107818806B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 稻叶恒夫 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张谟煜;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一实施方式的半导体存储装置具有：包括电阻性存储元件的存储单元、以及写入驱动器。上述写入驱动器在使上述电阻性存储元件从第1电阻值成为比上述第1电阻值小的第2电阻值的第1写入工作中，向上述存储单元供给第1电压。上述写入驱动器在使上述电阻性存储元件从上述第2电阻值成为上述第1电阻值的第2写入工作中，向上述存储单元供给与上述第1电压不同的第2电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，该半导体存储装置具有：包括电阻性存储元件的存储单元、以及写入驱动器；所述写入驱动器，在使所述电阻性存储元件从第1电阻值成为比所述第1电阻值小的第2电阻值的第1写入工作中，向所述存储单元供给第1电压；在使所述电阻性存储元件从所述第2电阻值成为所述第1电阻值的第2写入工作中，向所述存储单元供给与所述第1电压不同的第2电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710026275.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
