[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201710028465.1 申请日: 2017-01-13
公开(公告)号: CN107818807B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 松冈史宜 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 徐健;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的实施方式涉及的半导体存储装置具有:能够存储第1数据或者第2数据的第1存储单元、连接于第1存储单元的第1布线和第2布线、能够对第1布线和第2布线施加第1电压和第2电压的第1驱动电路、以及将第1信号和第2信号发送给第1驱动电路的第1控制电路。第1驱动电路基于第1数据和第1信号,对第1布线施加第1电压,基于第2数据和第2信号,对第2布线施加第1电压。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
一种半导体存储装置,具备:第1存储单元,其包括第1可变电阻元件,能够存储第1数据或者第2数据;第1布线和第2布线,其分别连接于所述第1存储单元的一端及另一端;第1驱动电路,其能够对所述第1布线和所述第2布线的一方施加第1电压,并且能够对所述第1布线和所述第2布线中的另一方施加与所述第1电压不同的第2电压;以及第1控制电路,其将控制所述第1数据的写入的第1信号和控制所述第2数据的写入的第2信号发送给所述第1驱动电路,所述第1驱动电路基于所述第1数据和所述第1信号,对所述第1布线施加所述第1电压,对所述第2布线施加所述第2电压,基于所述第2数据和所述第2信号,对所述第2布线施加所述第1电压,对所述第1布线施加所述第2电压。
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