[发明专利]垂直存储器件及其制造方法有效
申请号: | 201710032615.6 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN107017263B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 尹石重;李俊熙;曹盛纯 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及垂直存储器件及其制造方法。一种垂直存储器件可以包括:多个字线,其在第一方向上间隔开,其每个在垂直于第一方向的第二方向上延伸并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第一宽度;虚设字线,其在最上字线的上方,包括开口并且具有它的在第三方向上有第一宽度的一部分;第一串选择线(SSL)和第二串选择线(SSL),其在虚设字线上方,第一SSL和第二SSL沿第一方向在基本相同级处,第一SSL和第二SSL的每个在第三方向上具有比第一宽度更小的第二宽度;以及多个垂直沟道结构,其每个穿过字线、虚设字线以及第一SSL和第二SSL中的一个。 | ||
搜索关键词: | 垂直 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种垂直存储器件,其包括:多个字线,其在基本垂直于衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开,所述字线的每个在基本平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向上延伸并且在基本垂直于所述第二方向的第三方向上具有第一宽度;虚设字线,其在所述字线的最上字线上方,所述虚设字线的边缘部分包括开口,并且所述虚设字线的一部分在所述第三方向上具有所述第一宽度;第一串选择线和第二串选择线,其在所述虚设字线上方,所述第一串选择线和所述第二串选择线在所述第一方向上在基本相同级处,并且所述第一串选择线和所述第二串选择线的每个在所述第三方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度;以及多个垂直沟道结构,所述垂直沟道结构的每个在所述第一方向上穿过所述第一串选择线和所述第二串选择线中的一个、所述字线以及所述虚设字线延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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