[发明专利]垂直存储器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710032615.6 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN107017263B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 尹石重;李俊熙;曹盛纯 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11551 分类号: H01L27/11551;H01L27/11578
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及垂直存储器件及其制造方法。一种垂直存储器件可以包括:多个字线,其在第一方向上间隔开,其每个在垂直于第一方向的第二方向上延伸并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上具有第一宽度;虚设字线,其在最上字线的上方,包括开口并且具有它的在第三方向上有第一宽度的一部分;第一串选择线(SSL)和第二串选择线(SSL),其在虚设字线上方,第一SSL和第二SSL沿第一方向在基本相同级处,第一SSL和第二SSL的每个在第三方向上具有比第一宽度更小的第二宽度;以及多个垂直沟道结构,其每个穿过字线、虚设字线以及第一SSL和第二SSL中的一个。
搜索关键词: 垂直 存储 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种垂直存储器件,其包括:多个字线,其在基本垂直于衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开,所述字线的每个在基本平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向上延伸并且在基本垂直于所述第二方向的第三方向上具有第一宽度;虚设字线,其在所述字线的最上字线上方,所述虚设字线的边缘部分包括开口,并且所述虚设字线的一部分在所述第三方向上具有所述第一宽度;第一串选择线和第二串选择线,其在所述虚设字线上方,所述第一串选择线和所述第二串选择线在所述第一方向上在基本相同级处,并且所述第一串选择线和所述第二串选择线的每个在所述第三方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度;以及多个垂直沟道结构,所述垂直沟道结构的每个在所述第一方向上穿过所述第一串选择线和所述第二串选择线中的一个、所述字线以及所述虚设字线延伸。
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