[发明专利]具有半导体元件的集成电路结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710036189.3 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108321116A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 徐尉伦;巩永谦;叶铭琮;刘彦秀;吕安泰;许尧壁;龚吉富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有半导体元件的集成电路结构及其制造方法。该集成电路结构包括：一基板，具有相对的一顶表面和一底表面，且基板具有多个区域；多个半导体元件形成于基板，且分别位于不同区域内，和一超深沟槽隔离结构，形成于基板内且围绕各个区域的周围，以隔离位于不同区域的该些半导体元件。其中超深沟槽隔离结构自基板的顶表面延伸至底表面而穿过基板。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 半导体元件 集成电路结构 超深沟槽 隔离结构 顶表面 制造 穿过 隔离 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：基板，具有相对的一顶表面(top surface)和一底表面(bottom surface)，且该基板具有多个区域；多个半导体元件形成于该基板，且分别位于不同的该些区域内，和；超深沟槽隔离结构(an ultra‑deep(UD)trench isolation structure)，形成于该基板内且围绕各个该些区域的周围，以隔离位于该些区域中不同区域的该些半导体元件；其中该超深沟槽隔离结构自该基板的该顶表面延伸至该底表面而穿过该基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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