[发明专利]存储器件

摘要

本公开涉及存储器件。一种存储器件，其包括衬底、多个沟道柱、栅堆叠、层间绝缘层、多个第一沟槽、以及至少一个第二沟槽。衬底包括单元阵列区和连接区。沟道柱在单元阵列区中与衬底的上表面交叉。栅堆叠包括围绕单元阵列区中的构道柱的多个栅电极层。栅电极层在连接区中延伸至不同长度从而形成阶梯式结构。层间绝缘层在栅堆叠上。第一沟槽将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域。所述至少一个第二沟槽在连接区中的层间绝缘层内并且在第一沟槽之间。

主权项

一种存储器件，包括：衬底，其包括彼此相邻的单元阵列区和连接区；多个沟道柱，其在所述单元阵列区中在与所述衬底的上表面交叉的方向上延伸；栅堆叠，其包括在所述衬底上的多个栅电极层并在所述单元阵列区中围绕所述沟道柱，所述栅电极层在所述连接区中延伸不同的长度从而形成阶梯式结构；所述栅堆叠上的层间绝缘层；多个第一沟槽，其将所述栅堆叠和所述层间绝缘层划分成多个区域；以及至少一个第二沟槽，其在所述连接区中的所述层间绝缘层之内并且在所述第一沟槽之间。