[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例提供了一种半导体器件，其具有第一区域和第二区域。第一区域具有第一突出结构和第二突出结构。第二区域具有第三突出结构和第四突出结构。第一、第二、第三和第四外延层分别形成于第一、第二第三和第四突出结构上。当使得第三和第四外延层暴露时，第一和第二外延层被第一光刻胶层覆盖。介电层形成于第一光刻胶层的上方和第三和第四外延层的上方。部分介电层被第二光刻胶层覆盖。部分介电层形成于第三和第四外延层的上方。蚀刻未被第一和第二光刻胶层保护的部分介电层。去除第一和第二光刻胶层。本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一突出结构和第二突出结构，各自从隔离结构向外突出，所述第一和第二突出结构设置于所述半导体器件的第一区域中；第一外延层和第二外延层，分别形成于所述第一突出结构和所述第二突出结构上，其中，所述第一外延层和所述第二外延层各具有硅化物表面；第三突出结构和第四突出结构，各自从所述隔离结构向外突出，所述第三突出结构和所述第四突出结构设置于所述半导体器件的第二区域中；第三外延层和第四外延层，分别形成于所述第三突出结构和所述第四突出结构上，其中，所述第三外延层和所述第四外延层均不具有硅化物表面；以及环形凹槽，形成于所述隔离结构中，在俯视图中所述环形凹槽周向环绕所述第三外延层和所述第四外延层。